MTN2306AN3 是一款由知名半导体制造商（如 On Semiconductor 安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域的功率控制与开关电路中。

产品核心参数 (基于 2019 年 Datasheet 资料)

其主要电气参数如下：

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 封装：SOT-23 (TO-236AB)，一种小型表面贴装封装，体积小，适合高密度PCB设计。
• 电压规格：
• 漏源击穿电压 (Vdss)：通常为 60V，表示其能承受的最大漏极与源极之间的电压。

• 栅源电压 (Vgs)：通常为 ±20V，栅极驱动电压不应超过此范围。

• 电流规格：
• 连续漏极电流 (Id)：在特定温度和条件下，通常可达数安培（例如 2A-4A 级别，具体值需查阅最新规格书）。

• 脉冲漏极电流 (Idm)：更高。

• 导通电阻 (Rds(on))：一个关键参数，表示 MOSFET 完全导通时漏极与源极之间的电阻。MTN2306AN3 的 Rds(on) 通常在栅源电压为 10V (Vgs=10V) 时非常低（例如几十毫欧级别），这有助于降低导通损耗和发热。
• 栅极电荷 (Qg) 和 开关速度：参数适中，有利于实现高效的开关操作。

注意：以上为典型参数描述，具体、精确的参数值（如特定 Vgs 下的 Rds(on)、Id 等）必须查阅官方发布的最新版本 Datasheet 文档。

Datasheet 文档资料

在 2019 年或更早，您可以通过以下途径获取其 Datasheet：

1. 制造商官网：访问原厂（如安森美半导体）的官方网站，在搜索框中输入完整型号“MTN2306AN3”，在产品页面下载最新的 PDF 格式技术文档。
2. 元器件分销商平台：如得捷电子 (Digi-Key)、贸泽电子 (Mouser)、艾睿电子 (Arrow) 等，在产品详情页通常提供 Datasheet 下载链接。
3. 第三方技术资料库：如 Alldatasheet、Datasheet4U 等网站，但需注意其文档版本可能不是最新。

货源信息

MTN2306AN3 作为一款通用型 MOSFET，货源渠道广泛：

• 授权分销商：上述的得捷、贸泽、艾睿、富昌电子 (Future Electronics) 等全球性授权分销商，保证原装正品，是研发和小批量采购的首选。
• 本地/区域分销商：各地区有许多授权或特约经销商。
• 现货市场/贸易商：华强北等电子集散地或线上B2B平台（如阿里巴巴1688）有大量现货供应商，适合紧急采购，但需特别注意产品质量和真伪鉴别。

最新参考价格

重要提示：电子元器件的价格是实时变动的，受市场需求、供应链状况、采购数量（卷带/盘装价格远优于零售）、交期、货币汇率等多种因素影响。2019年的历史价格已不具备参考价值。

要获取 MTN2306AN3 的最新实时参考价格，建议采取以下步骤：

1. 查询主流分销商官网：直接访问得捷、贸泽等网站，将型号加入购物车即可看到当前单价（通常是1片或少量起售的零售价）。这是最直接、准确的公开参考价。
2. 联系供应商询价：对于批量采购，直接向多家授权分销商或可靠代理商发送询价单（RFQ），获取针对您具体数量的正式报价。
3. 行业平台查询：一些电子元器件行情网站或指数（如芯查查、芯片超人行情等）可能会提供市场现货的参考报价区间，可以辅助了解市场动态。

****：对于 MTN2306AN3，设计时应以制造商发布的最新版 Datasheet 为准；采购时应优先选择授权渠道以保证质量，并通过实时询价获取准确价格。